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Neben der Bearbeitung von starren und flexiblen Materialien auf starren Trägersubstraten bieten wir die Bearbeitung von flexiblen Materialien im Sheet-zu-Sheet oder im Rolle-zu-Rolle-Verfahren an. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile mit der Rolle-zu-Rolle-Technologie: • Lasermikrostrukturierung und -Ablation • Laserbearbeitung „On-the-Fly“ oder „Step and Repeat“ • Rollenbreiten bis zu 300 mm möglich Einsatzgebiet: • Flexible Elektronik in der Medizinindustrie • Flexible Photovoltaik Zellen • Display-Industrie • Halbleiter-Industrie Neben der Bearbeitung von starren und flexiblen Materialien auf starren Trägersubstraten bieten wir die Bearbeitung von flexiblen Materialien im Sheet-zu-Sheet oder im Rolle-zu-Rolle-Verfahren an. Anwendungsbeispiele: • Dünnschichtabträge auf Rollenmaterial (z.B. Metall auf PET) • Freilegen von Leiterbahnen • Anrauhen von Lötpads

4 Wellenlängen Diodenlaser! Zuverlässig und auf dem modernstem Stand der Technik dabei absolut innovativ. Der Diodenlaser ATW 2000 besticht durch seine Energiereserven und LED Display. Willkommen im Zeitalter der fortschrittlichen Schönheitsbehandlungen! Wir präsentieren stolz den Awenex Diodenlaser, der Ihre Erwartungen übertreffen wird. Mit seinen 4 Wellenlängen, LED Display und einzigartigen Energiereserven und Zuverlässigkeit ist dieser Laser das ultimative Werkzeug für professionelle Beauty-Experten. Der Awenex Diodenlaser ist speziell entwickelt worden, um die Bedürfnisse unserer anspruchsvollen Kunden zu erfüllen. Mit seinen 4 Wellenlängen (808 nm, 755 nm, 1064 nm und 532 nm) bietet dieser Laser eine breite Palette an Anwendungsmöglichkeiten. Egal ob Haarentfernung, Hautverjüngung oder Pigmententfernung - mit dem Awenex Diodenlaser sind Sie bestens ausgestattet. Das LED Display ermöglicht es Ihnen, alle Einstellungen und Behandlungsparameter auf einen Blick zu überprüfen. Dank der intuitiven Benutzeroberfläche ist die Bedienung kinderleicht. Sie können die gewünschte Wellenlänge, Energieintensität und Pulsdauer ganz einfach anpassen, um die perfekte Behandlung für Ihre Kunden zu gewährleisten. Was den Awenex Diodenlaser wirklich von anderen Lasern abhebt, sind seine einzigartigen Engeriereserven und Zuverlässigkeit. Der Laser verfügt über eine hohe Energieeffizienz, was bedeutet, dass er länger arbeiten kann, ohne überhitzt zu werden. Dies ermöglicht Ihnen eine unterbrechungsfreie Behandlung und spart Ihnen Zeit und Geld. Darüber hinaus ist der Awenex Diodenlaser äußerst zuverlässig. Sie können sich darauf verlassen, dass er auch bei anspruchsvollen Behandlungen stets die besten Ergebnisse liefert. Dank seiner robusten Bauweise und hochwertigen Materialien ist der Laser langlebig und bereit für den täglichen Einsatz in Ihrem Schönheitssalon. Überzeugen Sie sich selbst von der Leistungsfähigkeit des Awenex Diodenlasers und steigern Sie Ihren Umsatz. Ihre Kunden werden von den sichtbaren Ergebnissen begeistert sein und immer wieder zu Ihnen zurückkehren. Warten Sie nicht länger und investieren Sie in die Zukunft Ihres Geschäfts mit dem Awenex Diodenlaser. Bestellen Sie jetzt und profitieren Sie von unserem exklusiven Angebot. Der Awenex Diodenlaser wird Ihr Beauty-Business revolutionieren und Ihnen einen Wettbewerbsvorteil verschaffen. Zögern Sie nicht und lassen Sie sich noch heute vom Awenex Diodenlaser überzeugen!

Excimer Laser-Lift-Off mittels Square- oder Line-Beam-System. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile: • Langjährige Erfahrung und technologische Kompetenz in der Laserbearbeitung von Display- und Halbleitersubstraten • Unser LIFT-Modul für den industriellen Massentransfer garantiert höchste Kosteneffizienz durch 10-fach höhere Transferraten gegenüber Wettbewerbstechnologien und bietet Ihnen damit ein enormes Kostensparpotenzial • Transferraten von bis zu 1 Mio. MikroLED pro Stunde • Substratgrößen: bis zu 4-Zoll-Donor-Wafer und 6-Zoll-Receiver-Wafer • Ab Frühling 2023: Große Flexibilität in der Substratgröße – 6-Zoll-Donor-Wafer und bis zu Gen. 2 Empfänger-Substraten • In unserem Reinraum ist immer die passende Laserquelle für Ihre Anwendung verfügbar – egal ob Sie einen Excimer-Laser mit einer hohen Flächenleistung für einen selektiven Einsatz bevorzugen oder lieber einen scannerbasierten Festkörperlaser bevorzugen. • Selektiver RGB-LIFT von drei Donor-Substraten und der Color-Conversion Ansatz über nur ein Donor-Substrat ist beides möglich Zusätzliche technische Informationen: • Chip-Größe bis zu 5 µm • Straßen-Breite bis zu 5 µm • Positioniergenauigkeiten von weniger als 1 μm möglich • Abstand zwischen Donor-Wafer und Empfänger-Substrat bis +50 µm • Geeignet für MikroLED, miniLED und LED • Nutzung unterschiedlicher Laserquellen Bearbeitbare Materialien sind u.a.: • Glass inkl. Saphir • Glass ohne Saphir • Polymere Einsatzgebiet: • Display-Industrie • Halbleiterindustrie • Medizintechnik • Forschung und Entwicklung Der Displaymarkt unterliegt einem ständigen Wandel und regelmäßigen Neuerungen - von LCD über OLED, bis hin zu miniLED. MikroLED ist das aufkommende „next big Thing“ im Bereich von Display. Es wird prognostiziert, dass 2024 Smartwatches und bis 2027 Flagship-Smartphones mit MikroLED-Displays ausgestattet sein werden. Auch der steigende Einsatz von VR- und AR-Brillen in Industrie und im Privaten fördert die Nachfrage nach hochauflösenden MikroLED-Displays. Um bereits jetzt auf die Anforderungen von morgen gefasst zu sein, stehen wir Ihnen als kompetenter, innovativer und zuverlässiger Partner zur Seite. Mithilfe unseres innovativen und Inhouse-entwickeltem Laser-Systems microCETI ist Lohnfertigung im Rahmen von µLED-Transfer und Trimming Ihrer Displaykomponenten nun möglich. Von Prototyping, über kleine bis mittlere Chargen. Als marktweit erster Hersteller eines LIFT-Modules für die Massenherstellung sind wir der ideale Partner für die Produktion Ihrer µLED-Displays mit langjährigem Know-How im Bereich Laser-Technologien. Dabei können wir für Sie die Schritte des LLO-, LIFT- und Trimming-Prozesses übernehmen. Einzeln oder in Kombination. Anwendungsbeispiele: • Transfer von MikroLEDs mit der LIFT Methode • Timming MikroLED • Laser Lift-Off von Substraten von Semiconductor Wafer • Printing of Biomolecule Microarrays and Sensors • Printing of Cells and Tissue Engineering • Polymerstack für Röntgensensoren, flexible Leiterbahnen, usw

Die Bildung von ohmschen Kontakten auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen spielt eine Schlüsselrolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der mechanischen Festigkeit. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile mit unserer OCF-Technologie: • Homogene Prozessergebnisse durch Spot-Scanning • Flexible Programmierung und großer Parameterbereich für Testmuster • Bildet ohmsche Ni-Silizid-Grenzflächen • Machbarkeitsstudien und Rezepturentwicklung mit Ihren Mustern in unserem Labor • Hohe Flexibilität - perfekt geeignet für F&E-Ansätze • Prototyping und Co-Entwicklung möglich - Rezepturentwicklung für Ihre Metall-Stacks • 200 mm Waferbearbeitung - besonders geeignet für dünne Wafer Zusätzliche technische Informationen: • Laser-Sensor-Paket • Logfile-Funktion / Zugriffsrechteverwaltung • Standard-Waferdicke: 100 - 500 μm • Eignung für Wafer auf Glasträger Bearbeitbare Materialien sind: • Silizium (Si) • Siliziumkarbid (SiC) Einsatzgebiet: • Halbleiterindustrie • Power Devices Der Markt für Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) verzeichnet ein zweistelliges Wachstum, was auf die Vorteile von SiC bei der Steigerung der Leistungseffizienz und der Minimierung von Energieverlusten in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen und Hybridfahrzeugen, Stromversorgungen und Solarwechselrichtern zurückzuführen ist. Die Bildung von ohmschen Kontakten auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen spielt eine Schlüsselrolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der mechanischen Festigkeit des Bauelements. Traditionell wurden für die OCF auf der Rückseite von SiC-Wafern thermische Annealingprozesse mit Blitzlampen mit Millisekunden-Pulsen verwendet. Da für diesen Prozess Temperaturen von über 1000 °C erforderlich sind, die sich nachteilig auf die Strukturen auf der Vorderseite der Wafer auswirken können, sind Blitzlampen auf Waferdicken von 350 Mikrometern und mehr beschränkt. Da die Industrie nun zu dünneren SiC-Leistungsbauelementen übergeht, um die elektrische Leistung und das Wärmemanagement zu verbessern, werden neue Annealingverfahren benötigt, die diese thermischen Auswirkungen minimieren. Das Laserannealing mit UV-Nanosekundenpulsen bietet die hohe Präzision und Wiederholbarkeit, die für OCF auf der Rückseite von SiC-Wafern erforderlich ist, und stellt gleichzeitig sicher, dass die Wafervorderseite nicht thermisch beschädigt wird, was die Leistung der Bauelemente beeinträchtigen kann.

Die kosteneffizienten Fertigung monolithisch integrierter Sensorchips in nur einem Produktionsschritt. Dies wird möglich durch den Einsatz eines On-the-Fly-Laserspots ermöglicht. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile: • Geringe Kosten: Hohe Kosteneffizient durch Entfall mehrerer Prozessschritte gegenüber traditioneller Verfahren – Die Herstellung erfolgt in nur einem Schritt. Keine lange Aufheiz- und Abkühlphase. • Einfache Einstellung der magnetischen Ausrichtung, Sensorposition und Sensordimension • Nachträgliche Re-Orientierung von Sensoren nach Prozessierung möglich - hohe Flexibilität zu jeder Zeit • Ermöglicht die Verarbeitung von Sensoren direkt neben der Ausleseelektronik - die wärmebeeinflusste Zone ist nur wenige µm breit • Möglichkeit, verschiedene Teile desselben Wafers für unterschiedliche Programmierbedingungen zu verwenden, z. B. die Anordnung separater Sensoren in Wheatstone-Bridge-Konfigurationen • Selektive und schnelle Programmierung (von einigen einzelnen Dies bis hin zu ganzen Wafern) • Variable Die-Größen können verarbeitet werden Zusätzliche technische Informationen: • Maschinengenauigkeit: ± 5 µm • Genauigkeit bei der Ausrichtung des Magnetfelds:: ± 0.010° • Nutzung von Laserquellen namhafter Hersteller • Fluenzen von 100-1000 mj/cm² • Manuelgeschnittene Masken • 100µm Messingbleche (Dicke) • Wafer-Dicken bis zu 4mm • Rechteckig: Kantenlänge 10-300µm • 12 Magnetrichtungen (0-360° in 30°-Schritten) Bearbeitbare Materialien sind u.a.: • Geeignet für Si-Wafergrößen bis zu 200 mm • Manuelle Beladung per Hand Einsatzgebiet: • Semiconductor Industry • Automotive Industry • Consumer electronics • Industrial applications • IoT applications Der Markt für magnetische Sensoren erfährt ein starkes Wachstum, das durch die steigende Nachfrage nach magnetischen Sensoren in der Unterhaltungselektronik, in Haushaltsgeräten und in Automobilanwendungen stetig angetrieben wird. Die Vorteile bei der Fertigung magnetischen Sensoren in unserem Haus liegen in einer sehr kosteneffizienten Fertigung monolithisch integrierter Sensorchips in nur einem Produktionsschritt. Dies wird möglich durch den Einsatz eines On-the-Fly-Laserspots, der in Geometrie und Pulsenergie flexibel an verschiedene Magnetsensoren adaptierbar ist. Die Anpassung an Sensor-Positionen und Abmessungen sowie verschiedene Magnetfeld-Orientierungen ist allein durch Ändern von Rezepten möglich. Ferner bietet die Technologie die Möglichkeit, selbst im Nachhinein programmierte Sensoren zu Re-Organisieren. Ein essentieller Faktor in Sachen Flexibilität und Anwenderfokus der xMR-Technologie. Dadurch stehen wir Ihnen als 3D-Micromac mit unserem Laser-System als idealer Partner in Sachen Sensorbearbeitung zur Verfügung. Das selektive Laser Annealing Das thermische Annealing wird traditionell verwendet, um die Giant Magnetoresistance (GMR) und Tunneling Magnetoresistance (TMR) Sensoren zu maximieren. Dieser Ansatz erfordert jedoch mehrere Prozessschritte, um Sensoren mit unterschiedlichen magnetischen Ausrichtungen herzustellen, die in Multichip-Gehäuse eingebaut oder als integrierte monolithische Gehäuse verarbeitet werden. Das selektive Laserannealing bietet gegenüber dem thermischen Annealing bei der Herstellung von Magnetsensoren mehrere Vorteile. Dazu gehören eine höhere Präzision, die die Verarbeitung kleinerer magnetischer Bauelementstrukturen ermöglicht, mehr Bauelemente pro Wafer und die Möglichkeit, verschiedene Referenzmagnetisierungsrichtungen auf den Sensoren auf einem einzigen Wafer einzustellen - dies reduziert die Prozessschritte, vereinfacht den gesamten Produktionsablauf und ermöglicht eine kostengünstigere Produktion integrierter monolithischer Sensorgehäuse. Zusätzlich dazu verbesserte die hohe Energiehomogenität die Sensorqualität erheblich. Weitere Anwendungsbeispiele für MR-Sensoren sind • Antiblockiersystem • Magnetokardiographie und • galvanische Isolatoren